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Aixtron AG:AZZURRO Semiconductors AG produziert mit Thomas-Swan-CCS-Reaktor...

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AZZURRO Semiconductors AG produziert mit Thomas-Swan-CCS-Reaktor 150-mm-GaN-
auf-Si-Wafer

Aachen/Magdeburg, 14. November 2005 - AIXTRON AG (FSE: AIX, ISIN DE0005066203;
NASDAQ: AIXG), ein führender Anbieter von Depositions-Anlagen für die
Halbleiter-Industrie, gab heute den Verkauf eines Thomas-Swan-Close-Coupled-
Showerhead-(CCS)-Reaktors an das Unternehmen AZZURRO Semiconductors AG
bekannt, das 150-mm-GaN-auf-Si-Wafer fertigt. Die Produktionsanlage für 150-
mm-Wafer ist mit einer speziellen Vorrichtung zur In-situ-Messung der
Substratverspannung ausgestattet. Die AZZURRO Semiconductors AG ist eine
Ausgründung des renommierten Forschungsteams von Prof. Alois Krost an der
Otto-von-Guericke-Universität in Magdeburg. Das Unternehmen fertigt
Galliumnitrid-Halbleiter-Wafer mit einem Durchmesser von bis zu 150 mm, die
sowohl in der Produktion als auch in Forschung und Entwicklung zum Einsatz
kommen. Als Pionier im Wachstum von GaN auf Silizium-(SI)-Wafern konzentriert
sich AZZURRO auf die Vorteile dieser Technologie.
AZZURRO ist das erste Unternehmen in Deutschland, das den Thomas-Swan-CCS-
Reaktor für GaN-basierte Halbleiter wie z. B. LEDs auf Silizium-Wafern
verwendet. Diese faszinierende innovative Technologie ist ein viel
versprechender Ansatz, um die Produktionskosten von LEDs weiter zu senken.
Diese Technik hat darüber hinaus das Potenzial, den praktischen Nachweis für
das Konzept der Hetero-Wafer-Technologie zu liefern, welche die Vorteile der
Silizium- und der Verbindungshalbleiter miteinander vereint.
Dr. Armin Dadgar, Chief Technology Officer der AZZURRO Semiconductors AG, der
die erfolgreiche Züchtung von dicken rissfreien 150-mm-GaN-auf-Si-Wafern vor
kurzem erstmals auf der internationalen Nitridtagung ICNS-6 in Bremen
vorstellte, über die Bedeutung des Reaktorkonzepts: "Das Thomas-Swan-CCS-
MOCVD-System ist ideal, um die Qualität unserer Produkte zu gewährleisten und
verleiht uns die nötige Flexibilität, um uns an die Bedürfnisse unserer Kunden
anzupassen. Zudem haben wir mit der neuen Vorrichtung zur In-situ-Messung der
Substratverspannung noch mehr Kontrolle über den Wachstumsprozess, was beim
Wachstum auf Substraten mit großem Durchmesser wie im Falle unserer 150-mm-
GaN-auf-Si-Wafer von entscheidender Bedeutung ist."
"Dieser Auftrag hat strategische Bedeutung für uns, weil er von einem
ehrgeizigen neuen High-Tech-Unternehmen erteilt wurde. Wir sind stolz darauf,
dass die außergewöhnlichen Fähigkeiten des Thomas-Swan-CCS-Systems, das eine
zuverlässige Plattform für GaN-basierte Halbleiter bietet, einen weiteren
Kunden überzeugt hat", fügte Dr. Bernd Schulte, Executive Vice President und
Chief Operating Officer von AIXTRON hinzu.

Über AIXTRON: AIXTRON AG (FSE: AIX, ISIN DE0005066203; NASDAQ: AIXG, ISIN:
US0096061041) ist ein führender Anbieter von Depositions-Anlagen für die
Halbleiter-Industrie. Die Produkte der Gesellschaft werden weltweit von einem
breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungs-,
Silizium- und organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente
werden in Glasfaser-Kommunikationsnetzen, den mobilen Telefonie-Anwendungen,
der optischen und elektronischen Datenspeicherung, der Computer-Technik, der
Signal- und Lichttechnik sowie einer Reihe anderer High-Tech-Anwendungen
eingesetzt. Die Aktien des 1983 gegründeten Unternehmens mit Sitz in Aachen
sind im Prime Standard der Frankfurter Wertpapierbörse und in Form von
American Depositary Shares (ADS) an der Nasdaq notiert und im TecDAX, im
NASDAQ Composite Index, im MSCI World Small Cap Index sowie im Natur-Aktien-
Index (NAI) vertreten. Weitere Informationen über AIXTRON sind im Internet
unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen: Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete
Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen
von AIXTRON im Sinne der "Safe Harbor"-Bestimmungen des US-amerikanischen
Private Securities Litigation Reform Act von 1995 enthalten. Begriffe oder
Aussagen wie "das Unternehmen kann", oder "das Unternehmen wird", "erwartet",
"geht davon aus", "erwägt", "beabsichtigt", "plant", "glaubt", "fährt fort"
und "schätzt", sowie ähnliche Begriffe und Aussagen kennzeichnen diese
zukunftsgerichteten Aussagen. Diese Aussagen sind keine Garantie dafür, dass
getätigte Prognosen erreicht werden. Vielmehr sind diese Aussagen mit Risiken,
Unsicherheiten und Annahmen verbunden, die schwierig vorherzusagen sind und
basieren zudem auf Annahmen über künftige Ereignisse, die sich als
unzutreffend erweisen können. Aus diesem Grunde können die tatsächlichen
Ergebnisse von den hier geäußerten Annahmen wesentlich abweichen. In einer
zukunftsgerichteten Aussage, in der AIXTRON Erwartungen oder Annahmen in Bezug
auf künftige Ergebnisse zum Ausdruck bringt, werden diese Erwartungen oder
Annahmen in gutem Glauben getroffen, und es ist davon auszugehen, dass diese
auf einer angemessenen Grundlage beruht; es kann jedoch nicht gewährleistet
werden, dass die Aussage, Erwartungen oder Annahmen eintreffen bzw. erreicht
oder erfüllt werden. Das tatsächliche Betriebsergebnis kann wesentlich von
diesen zukunftsgerichteten Aussagen abweichen und unterliegt bestimmten
Risiken; dazu zählen Risiken in Verbindung mit: den tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträgen; dem Umfang der Marktnachfrage nach Chemical Vapor
Deposition (CVD)-Technologie; dem Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von
Anlagen durch die Kunden; der Finanzlage und den Zugangsmöglichkeiten zu
Finanzierungen; den allgemeinen Marktbedingungen für Dünnfilmbeschichtungs-
Anlagen und dem makroökonomischen Umfeld; Stornierungen, Änderungen oder
Verzögerungen bei Produktlieferungen; Einschränkungen der
Produktionskapazität; lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen;
Schwierigkeiten im Produktionsprozess; Änderungen im Wachstum der
Halbleiterindustrie; Verschärfung des Wettbewerbs; Wechselkursschwankungen;
Verfügbarkeit von Zuwendungen der öffentlichen Hand; Zinsschwankungen bzw.
verfügbare Zinskonditionen; Verzögerungen bei der Entwicklung und
Kommerzialisierung von neuen Produkten; schlechteren allgemeinen
wirtschaftlichen Bedingungen als erwartet; und anderen Faktoren. Die in dieser
Pressemitteilung enthaltenen zukunftsgerichteten Aussagen sind nur zu dem
Datum gültig, an dem sie gemacht werden, und AIXTRON übernimmt keinerlei
Verantwortung (und lehnt eine solche Verantwortung ausdrücklich ab),
Erläuterungen zu aktualisieren, die erklären aus welchen Gründen tatsächliche
Ergebnisse wesentlich von denen in den zukunftsgerichteten Aussagen gemachten
Ergebnissen abweichen. Jegliche Referenz auf die AIXTRON Webseite stellt
keinen Bezug durch Verweis auf diese Informationen in dieser Pressemitteilung
dar, und eine solche Referenz sollte nicht als Bezug durch Verweis auf eine
solche Information aufgefasst werden.

Zusätzliche Information: Für zusätzliche Informationen über Faktoren, die die
zukünftige Finanz- und Ertragslage beeinflussen können, lesen Sie bitte unsere
Registrierung mit der Securities and Exchange Commission einschließlich
unserer Registrierungsanmeldung in der Form des F-4 (Regis. No. 333-122624),
die bei der SEC am 8. Februar 2005 eingereicht wurde und auf der SEC Webseite
unter www.sec.gov nachzulesen ist.
Die deutsche Übersetzung der "Zukunftsgerichteten Aussagen" und "Zusätzlichen
Informationen" ist ausschließlich eine Gebrauchsübersetzung. Die
rechtsverbindliche englische Fassung ist unter www.aixtron.com nachzulesen.


Ende der Mitteilung (c)DGAP 14.11.2005
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WKN: 506620; ISIN: DE0005066203; Index: TecDAX
Notiert: Geregelter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in
Berlin-Bremen, Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München und Stuttgart