20.03.2006 01:01:00
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DGAP-News: AIXTRON AG
DGAP-News: Aixtron AG: Führender Chip-Hersteller in Korea erweitert DRAM Produktionsstätte mit
AIXTRON AG / Sonstiges
20.03.2006
Corporate-Mitteilung übermittelt durch die DGAP - ein Unternehmen der EquityStory AG. Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent verantwortlich. ---------------------------------------------------------------------------
Führender Chip-Hersteller in Korea erweitert DRAM Produktionsstätte mit bewährten Genus LYNX3 300 mm CVD Anlagen
Aachen - 20. März 2006 - AIXTRON AG, ein führender Anbieter von Depositions-Anlagen für die Halbleiter-Industrie, gab heute den Erhalt eines Großauftrags für das 300 mm CVD LYNX3-System im vierten Quartal 2005 bekannt. Die Auslieferung der Systeme wird für das erste Halbjahr 2006 erwartet.
Der Auftrag kennzeichnet den Erfolg von AIXTRONs Strategie der Diversifizierung seiner Gasphasentechnologie in den Silizium-Halbleiter-Markt. So stieg im Wesentlichen durch den Verkauf von CVD-Anlagen der im März 2005 erworbenen AIXTRON-Tochtergesellschaft Genus,Inc. der Anteil der Umsatzerlöse aus dem Verkauf von Silizium-Halbleiter-Anlagen am Gesamt-umsatz von 1% im Geschäftsjahr 2004 auf 23% im Geschäftjahr 2005.
Technische Details
Der Kunde wird mit diesen Anlagen seinen Produktionsstandort für DRAM-Speicherbausteine mit Strukturen unter 80 nm erweitern.
Hauptkunden der Genus CVD-Anlagen sind die wichtigsten Halbleiterhersteller für DRAM- und FLASH-Speicherbausteine. Für die Beschichtung mit Wolframsilizid (WSix), das hauptsächlich in Speicherbausteinen eingesetzt wird, hat sich das patentierte LYNX3-Prozesskammerkonzept durchgesetzt.
Die mit den Genus-Anlagen hergestellten Wolframsilizid-Schichten werden für fortgeschrittene Speicheranwendungen gebraucht und bieten dem Kunden viele Vorteile wie eine robuste Funktion und Stabilität gegenüber nachfolgenden Beschichtungsschritten bei hohen Temperaturen.
Zusammen mit den AIXTRON ALD- und AVD(TM)-Systemen bildet die Genus Wolframsilizid-CVD Plattform einen umfassenden Bestand sich ergänzender Halbleiterplattformen. Die Handhabung und Wartung der Genus CVD- und ALD-Anlagen werden durch das einheitliche Systemdesign sehr vereinfacht. Diese Eigenschaften sind der Schlüssel für niedrige Betriebskosten und den erfolgreichen Einsatz für hochentwickelte Halbleiterprozesse.
AIXTRON wird den technischen Stand ihrer Entwicklungsteams während der Semicon China (21.-23. März 2006) vorstellen. (Stand-Nr. 2679 in Halle 2).
AIXTRON veranstaltet - parallel zur Konferenz - ein Seminar (22. März 2006) unter der Leitung von Dr. Tom Seidel, technischer Direktor von Genus. Das Seminar wird einen Überblick über die Aktivitäten von AIXTRON und Genus vermitteln und einen fundierten Einblick in die 300 mm CVD (ALD-AVD(TM)) Fertigungsstandards und Möglichkeiten der Atomic Level SolutionS(TM) erlauben.
Weitere Informationen über AIXTRON (FSE: AIX, ISIN: DE0005066203; NASDAQ: AIXG, ISIN: US0096061041) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Diese Mitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON im Sinne der "Safe Harbor"-Bestimmungen des US-amerikanischen Private Securities Litigation Reform Act von 1995 enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen dieser Begriffe und ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Die zukunftsgerichteten Aussagen geben unsere gegenwärtigen Beurteilungen und Annahmen wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Die nachgenannten Faktoren ebenso wie die weiteren in den von AIXTRON bei der U. S. Securities and Exchange Commission eingereichten öffentlichen Berichten und Meldungen genannten gehören zu denjenigen Faktoren, die zur Folge haben können, dass die tatsächlichen und künftigen Ergebnisse und Trends wesentlich von unseren zukunftsgerichteten Aussagen abweichen: Die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge; der Umfang der Marktnachfrage nach Chemical Vapor Deposition (CVD)-Technologie; der Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden; das Finanzmarktklima und die Zugangsmöglichkeiten zu Finanzierungen; die allgemeinen Marktbedingungen für Dünnfilmbeschichtungs-Anlagen und das makroökonomische Umfeld; Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen; Einschränkungen der Produktionskapazität; lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen; Schwierigkeiten im Produktionsprozess; Veränderungen beim Wachstum der Halbleiterindustrie; Verschärfung des Wettbewerbs; Wechselkursschwankungen; Verfügbarkeit öffentlicher Mittel; Zinsschwankungen bzw. verfügbare Zinskonditionen; Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte; schlechtere allgemeine wirtschaftliche Bedingungen als erwartet und sonstige Faktoren. Die in dieser Mitteilung enthaltenen zukunftsgerichteten Aussagen haben Gültigkeit im Zeitpunkt dieser Mitteilung und AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, ausgenommen bei Bestehen einer entsprechenden rechtlichen Verpflichtung.
Kontakt: Investor Relations and Corporate Communications AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, 52072 Aachen, Germany Phone: +49 241 8909 444, Fax: +49 241 8909 445, invest@aixtron.com www.aixtron.com
DGAP 20.03.2006 --------------------------------------------------------------------------- Sprache: Deutsch Emittent: AIXTRON AG Kackertstr. 15-17 52072 Aachen Deutschland Telefon: +49 (0)241 8909-444 Fax: +49 (0)241 8909-445 Email: invest@aixtron.com WWW: www.aixtron.com ISIN: DE0005066203 WKN: 506620 Indizes: TecDAX Börsen: Geregelter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Berlin-Bremen, Stuttgart, München, Hamburg, Düsseldorf; Auslandsbörse(n) Nasdaq Ende der Mitteilung DGAP News-Service ---------------------------------------------------------------------------
AIXTRON AG / Sonstiges
20.03.2006
Corporate-Mitteilung übermittelt durch die DGAP - ein Unternehmen der EquityStory AG. Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent verantwortlich. ---------------------------------------------------------------------------
Führender Chip-Hersteller in Korea erweitert DRAM Produktionsstätte mit bewährten Genus LYNX3 300 mm CVD Anlagen
Aachen - 20. März 2006 - AIXTRON AG, ein führender Anbieter von Depositions-Anlagen für die Halbleiter-Industrie, gab heute den Erhalt eines Großauftrags für das 300 mm CVD LYNX3-System im vierten Quartal 2005 bekannt. Die Auslieferung der Systeme wird für das erste Halbjahr 2006 erwartet.
Der Auftrag kennzeichnet den Erfolg von AIXTRONs Strategie der Diversifizierung seiner Gasphasentechnologie in den Silizium-Halbleiter-Markt. So stieg im Wesentlichen durch den Verkauf von CVD-Anlagen der im März 2005 erworbenen AIXTRON-Tochtergesellschaft Genus,Inc. der Anteil der Umsatzerlöse aus dem Verkauf von Silizium-Halbleiter-Anlagen am Gesamt-umsatz von 1% im Geschäftsjahr 2004 auf 23% im Geschäftjahr 2005.
Technische Details
Der Kunde wird mit diesen Anlagen seinen Produktionsstandort für DRAM-Speicherbausteine mit Strukturen unter 80 nm erweitern.
Hauptkunden der Genus CVD-Anlagen sind die wichtigsten Halbleiterhersteller für DRAM- und FLASH-Speicherbausteine. Für die Beschichtung mit Wolframsilizid (WSix), das hauptsächlich in Speicherbausteinen eingesetzt wird, hat sich das patentierte LYNX3-Prozesskammerkonzept durchgesetzt.
Die mit den Genus-Anlagen hergestellten Wolframsilizid-Schichten werden für fortgeschrittene Speicheranwendungen gebraucht und bieten dem Kunden viele Vorteile wie eine robuste Funktion und Stabilität gegenüber nachfolgenden Beschichtungsschritten bei hohen Temperaturen.
Zusammen mit den AIXTRON ALD- und AVD(TM)-Systemen bildet die Genus Wolframsilizid-CVD Plattform einen umfassenden Bestand sich ergänzender Halbleiterplattformen. Die Handhabung und Wartung der Genus CVD- und ALD-Anlagen werden durch das einheitliche Systemdesign sehr vereinfacht. Diese Eigenschaften sind der Schlüssel für niedrige Betriebskosten und den erfolgreichen Einsatz für hochentwickelte Halbleiterprozesse.
AIXTRON wird den technischen Stand ihrer Entwicklungsteams während der Semicon China (21.-23. März 2006) vorstellen. (Stand-Nr. 2679 in Halle 2).
AIXTRON veranstaltet - parallel zur Konferenz - ein Seminar (22. März 2006) unter der Leitung von Dr. Tom Seidel, technischer Direktor von Genus. Das Seminar wird einen Überblick über die Aktivitäten von AIXTRON und Genus vermitteln und einen fundierten Einblick in die 300 mm CVD (ALD-AVD(TM)) Fertigungsstandards und Möglichkeiten der Atomic Level SolutionS(TM) erlauben.
Weitere Informationen über AIXTRON (FSE: AIX, ISIN: DE0005066203; NASDAQ: AIXG, ISIN: US0096061041) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Diese Mitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON im Sinne der "Safe Harbor"-Bestimmungen des US-amerikanischen Private Securities Litigation Reform Act von 1995 enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen dieser Begriffe und ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Die zukunftsgerichteten Aussagen geben unsere gegenwärtigen Beurteilungen und Annahmen wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Die nachgenannten Faktoren ebenso wie die weiteren in den von AIXTRON bei der U. S. Securities and Exchange Commission eingereichten öffentlichen Berichten und Meldungen genannten gehören zu denjenigen Faktoren, die zur Folge haben können, dass die tatsächlichen und künftigen Ergebnisse und Trends wesentlich von unseren zukunftsgerichteten Aussagen abweichen: Die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge; der Umfang der Marktnachfrage nach Chemical Vapor Deposition (CVD)-Technologie; der Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden; das Finanzmarktklima und die Zugangsmöglichkeiten zu Finanzierungen; die allgemeinen Marktbedingungen für Dünnfilmbeschichtungs-Anlagen und das makroökonomische Umfeld; Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen; Einschränkungen der Produktionskapazität; lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen; Schwierigkeiten im Produktionsprozess; Veränderungen beim Wachstum der Halbleiterindustrie; Verschärfung des Wettbewerbs; Wechselkursschwankungen; Verfügbarkeit öffentlicher Mittel; Zinsschwankungen bzw. verfügbare Zinskonditionen; Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte; schlechtere allgemeine wirtschaftliche Bedingungen als erwartet und sonstige Faktoren. Die in dieser Mitteilung enthaltenen zukunftsgerichteten Aussagen haben Gültigkeit im Zeitpunkt dieser Mitteilung und AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, ausgenommen bei Bestehen einer entsprechenden rechtlichen Verpflichtung.
Kontakt: Investor Relations and Corporate Communications AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, 52072 Aachen, Germany Phone: +49 241 8909 444, Fax: +49 241 8909 445, invest@aixtron.com www.aixtron.com
DGAP 20.03.2006 --------------------------------------------------------------------------- Sprache: Deutsch Emittent: AIXTRON AG Kackertstr. 15-17 52072 Aachen Deutschland Telefon: +49 (0)241 8909-444 Fax: +49 (0)241 8909-445 Email: invest@aixtron.com WWW: www.aixtron.com ISIN: DE0005066203 WKN: 506620 Indizes: TecDAX Börsen: Geregelter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Berlin-Bremen, Stuttgart, München, Hamburg, Düsseldorf; Auslandsbörse(n) Nasdaq Ende der Mitteilung DGAP News-Service ---------------------------------------------------------------------------
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